值得咱們重視的是AVX鉭電容運(yùn)用中的壓降問(wèn)題，在此咱們以AVX鉭電容的TAJ系列為例，進(jìn)行闡明如下：

    1.AVX鉭電容的浪涌電壓

    AVX鉭電容的浪涌電壓是指電容在很短的時(shí)刻通過(guò)最小的串聯(lián)電阻的電路33Ohms（CECC國(guó)家1KΩ）能接受的最高電壓。浪涌電壓，常溫下一個(gè)小時(shí)時(shí)刻內(nèi)可到達(dá)高達(dá)10倍額度電壓并高達(dá)30秒的時(shí)刻。浪涌電壓只作為參考參數(shù)，不能用作電路規(guī)劃的根據(jù)，在正常運(yùn)轉(zhuǎn)過(guò)程中，電容應(yīng)定期充電和放電。

    不同溫度下浪涌電壓的值是不一樣的，在85度及以下溫度時(shí)，分類(lèi)電壓VC等于額外電壓VR，浪涌電壓VS等于額度電壓VR的1.3倍；在85到125度時(shí)，分類(lèi)電壓VC等于額外電壓VR的0.66倍，浪涌電壓VS等于分類(lèi)電壓VC的1.3倍。

    AVXAVX鉭電容能接受的電壓和電流浪涌才能是有限的，這是根據(jù)一切電解電容的一起特點(diǎn)，一個(gè)值夠高的電應(yīng)力會(huì)穿過(guò)電介質(zhì)，然后破壞了介質(zhì)。例如一個(gè)6伏的AVX鉭電容在額外電壓運(yùn)轉(zhuǎn)時(shí)，有一個(gè)167千伏/毫米電壓的電場(chǎng)。因而一定要確保整個(gè)電容器終端的電壓的決不會(huì)超越規(guī)定的浪涌電壓評(píng)級(jí)。作為AVX鉭電容負(fù)極板層運(yùn)用的半導(dǎo)體二氧化錳有自愈才能。但是，這種低阻是有限的。在低阻抗電路的情況下，電容器可能被浪涌電流擊穿。降壓的電容，增加了元件的可靠性。AVX公司引薦降級(jí)表總結(jié)額外電壓運(yùn)用上常見(jiàn)的電壓軌道，低阻抗AVX鉭電容在電路進(jìn)行快速充電或放電時(shí)，維護(hù)電阻建議為1Ω/V.如果達(dá)不到此要求應(yīng)運(yùn)用AVX鉭電容器降壓系數(shù)高達(dá)70%.在這種情況下，可能需要更高的電壓比作為一個(gè)單一的電容。A系列組合應(yīng)被用來(lái)增加作業(yè)電壓的等效電容器：例如，兩個(gè)22μF25V系列部分相當(dāng)于一個(gè)11μF50V的一部分。

    2.AVX鉭電容的反向電壓

    AVXAVX鉭電容的反向電壓是有嚴(yán)厲的約束的，具體如下：

    在1.0V25°C條件下最大為10%的額外直流作業(yè)電壓在0.5V85°C條件下最大為3%的額外直流作業(yè)電壓在0.1V125℃條件下最大為1%的額外直流作業(yè)電壓反向電壓值均以AVX鉭電容在任何時(shí)刻上的最高電壓值為準(zhǔn)。這些約束是假定AVX鉭電容器偏振光在其大多數(shù)的正確方向作業(yè)壽數(shù)。他們的目的是包括短期反轉(zhuǎn)如發(fā)生在開(kāi)關(guān)瞬態(tài)極性期間的一個(gè)形象深刻的波形的一小部分。接連施加反向電壓會(huì)導(dǎo)致兩極分化，將導(dǎo)致漏電流增大。

    在在何種情況下接連反向使用電壓可能會(huì)出現(xiàn)兩個(gè)相似的電容應(yīng)選用與負(fù)端接背回裝備連接在一起。在大多數(shù)情況下這種組合將有一個(gè)標(biāo)稱電容的電容的一半無(wú)論是電容。在孤立的脈沖條件或在開(kāi)始幾個(gè)周期內(nèi)，電容可能的辦法完整的標(biāo)稱值。反向電壓等級(jí)的規(guī)劃蓋小等級(jí)游覽得天獨(dú)厚的條件弄錯(cuò)極性。引證的值是不計(jì)劃覆蓋接連的反向操作。

    3.AVX鉭電容的疊加溝通電壓（Vr.m.s.）------又稱紋波電壓

    這是最大的r.m.s.溝通電壓；疊加一個(gè)特區(qū)電壓，可使用到一個(gè)電容。在華盛頓的總和電壓和峰值疊加A.C.電壓不得超越該類(lèi)別電壓。

    4.AVX鉭電容的成型電壓

    這是在陽(yáng)極氧化構(gòu)成的電壓。“這個(gè)氧化層的厚度是構(gòu)成電壓成正比一個(gè)電容器，并在設(shè)置額外電壓的一個(gè)要素。